Siemens IGBT-Treiberplatte A5E00337012

Siemens IGBT-Treiberplatte A5E00337012

GM150 GL150 Frequenzumrichter Zubehör

Peking Jingchenghongtai Technology Co., Ltd. verkauft Infineon IGBT-Module; Steuerbare Siliziummodule; Brückenmodule; Diodenmodul; thyristor; Steuerbares Silizium, Kondensator, Stromversorgung, Lüfter, Sensoren, IPM-Module; Halbleiterleistungsmodul; Frequenzumrichter-Zubehör, Antriebsplatte, Steuerplatte, CUVC-Platte, Mittelspannungs-Frequenzumrichter-Zubehör, IVI-Platte. Kommunikationsplattform

GM150 Siemens IGBT-Antriebsplatte A5E00337012

6SL3912-5AP36-0AA0 (6SL39125AP360AA0)

Ein Paar IGBT-POWERCARDS FZ1200; WASSERKÄHLT FÜR SINAMIK GM150/SM150 (IGBT) 4.16KV MAX 800A

Technologie ermöglicht Industrie Präzise Energiekontrolle - Siemens 6SL3912-5AP36-0AA0 IGBT-Energiekarte

Hauptvorteile

• Deutsche Präzisionstechnik: Mit Siemens Original IGBT-Modul, durch R × 1KQ Widerstandsprüfung sicherstellen Tor (G) Erkennung Genauigkeit, Ausfallrate niedriger als Industriestandard 30%

• Anpassung mehrerer SzenenUnterstützt SINAMICS GM150/SM150 Mittelspannungs-Frequenzumrichtersystem (3,3-4,16 kV), luftgekühltes Design für die kontinuierlichen Betriebsanforderungen der Schwerindustrie

• Langlebige StabilitätEntsprechend den Umweltstandards der RoHS-Richtlinie, 20 kg kompakte Struktur für 20.000 Stunden unterbrechungsfreien Betrieb

Anwendungsfälle
Wenn ein Automatisierungsunternehmen dieses Modell anwendet:
• Reduzierung des Energieverbrauchs um 18%
• Wartungszeitraum auf das 2,5-fache verlängert
• Kompatibel mit Modulen der Serie 6SL3912-0AP36-0AA0 für flexible Erweiterung

Service-Garantie

• Vorrätig in Peking (Mindestbestellung 1 Stück)

• Technische Anleitung zur Multimeter-Prüfung und 72-stündige Notfallreaktion

• Kostenloser Austausch während der 3-jährigen Garantie

6SL3912-0AM34-0AA0
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Produktparameter:

IHM B 1700 V 2400A 190 mm Single-Switch IGBT-Modul mit 4. Generation Slot Gate/Field End IGBT,

IHV B 3300 V1000 A 130 mm EinzelschalterIGBT ModuleMit TRENCHSTOP der dritten Generation ™ IGBT、 Niedriger Schaltverlust und Emissionspolsteuerdioden – Lösungen für Traktion und Industrieanwendungen

3300V IGBT Modell:

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT-Modul FZ1000R33HL3
IGBT-Modul FZ1000R33HE3
IGBT-Modul FZ1200R33HE3
IGBT-Modul FZ1500R33HE3
IGBT-Modul FZ1500R33HL3
IGBT-Modul FZ1600R33HE4
IGBT-Modul FZ1400R33HE4
IGBT-Modul FZ2400R33HE4
IGBT-Modul FF450R33T3E3
IGBT-Modul FZ825R33HE4D

Eigenschaften Beschreibung

Produktspezifikationen:

IGBT-Typ: Trennfeldabschnitt

Konfiguration: Halbbrücke

Spannung - Sammelpol brechen: 1700 V

Strom - Sammelektrode (Ic): 2400 A

Strom - Elektrodenabschnitt: 100 µA

Eingangskapazität (Cies) bei unterschiedlichen Vce: 122 nF @ 25 V

Eingang: Standard

NTC-Thermistor: Kein

Betriebstemperatur: -40 ° C bis 175 ° C (TJ)

Installationsart: Basismontage

Verpackung/Gehäuse: Module

Lieferanten-Gerätepaket: AG-62MM

Eigenschaften:

Hohe Leistungsdichte

VCE und SAT

Tvj op = 175°C Überlastung

Hohe Entfernung und elektrischer Abstand

Erfüllt die RoHS-Norm

4 kV AC 1 Minute Isolierung

Verpackung für CTI > 400

UL/CSA-Zertifizierung nach UL1557 E83336

TRENCHSTOP ™ IGBT7-Chips

Verbessert EconoDUAL ™ 3 Verpackung

225, 750 und 900 A，1700V Halbbrückenmodule

Dioden, 750 A IGBT mit 1200 A Dioden (nur FF750R17ME7D_B11）

Betriebstemperatur bei Überlastung bis 175° C

Druckgesteuerte Stifte

Siemens IGBT-Treiberplatte A5E00337012

Vorteile:

Vorhandene Pakete mit hoher Stromkapazität, die eine Erhöhung der Wechselrichterausgangsleistung bei der gleichen Rahmengröße ermöglichen

Hohe Leistungsdichte

Vermeiden Sie IGBT-Module parallel

Senkung der Systemkosten durch Vereinfachung des Wechselrichtersystems

Flexibilität

Hohe Zuverlässigkeit

Anwendungsbereiche:

Unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS)

Energiespeichersystem

Motorsteuerung und Antrieb

Nutz-, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeuge (CAV)

Frequenzumrichter

Beijing Cheng Hongtai Technology Co., Ltd. ist ein industrieller Anbieter von Lösungen für den Vertrieb von Elektronikhalbleitern und für die Elektronikindustrie, der Kanal, Vertrieb, Vertrieb, Direktvertrieb und OEM-Modelle vereint.

Verkauf von in- und ausländischen Marken von elektrischen Halbleitergeräten, Frequenzumrichtern, Frequenzumrichterteilen, Aluminium-Elektrolytenkondensatoren und Leistungsmodulen; Hauptvertriebspartner in Deutschland sind Infineon, EUPEC,

SIEMENS Siemens, Siemens Semikron, IXYS Essex, AEG, Vishay, Danfoss Danfoss, TYCO Techo, DYNEX Danix, Vacon Viaken, Mitsubishi Mitsubishi,

Fuji, Fairchild, Toshiba, Hitachi, SanRex, Sanken POWEREX, Inda NIEC, IR USA, ABB Schweiz, POWERSEM, NELL Neil; von Yaskawa;

IGBT, IGCT, IPM, PIM, steuerbare Siliziumthyristore, GTO, GTR Darlington, Straightbridge, Diode, Feldeffektmodule von Siema, Großbritannien, CATELEC, Spanien und anderen Unternehmen; Japanische Fuji,

Schnellschmelzer HINODE, FERRAZ (Frankreich), GOULD (Großbritannien), BUSSMANN (USA); KEMET， Italien Arcotronics (AV),

Itelcond, FACON in Italien, IKEIKI ELECTRONICON in Deutschland, Thomson TPC in Frankreich, Hitachi in Japan, NIPPON chemi-con, NICHICON NICHICON;

Ruby, Epcos Epcos, Rifa Schweden, BHC Großbritannien, BHC Aerovox Elektrolyse-Kondensator und CDE-Empfindungsloser Kondensator in den USA; Swiss CONCEPT IGBT-Treiber, Optokoupler, Frequenzumrichter-Mainboard, Antriebsplatten, Netzplatten, Kommunikationsplatten, Schnittstellen

Bedienpanel

IGBT-Modul 6SL39125AP360AA0

Was ist IGBT?

IGBT, das heißt Isolationsgate-bipolare Transistoren, ist ein zusammengesetztes Vollkontrollspannungsgetriebenes Leistungshalbleiter-Gerät, das aus BJT (bipolare Triode) und MOS (Isolationsgate-Feld-Effektrohr) besteht, das sowohl die Vorteile des hohen Eingangsimpedanz des MOSFET als auch die Vorteile des niedrigen Durchlaufspannungsabfalls des GTR hat. Der GTR-Sättigungsdruck ist geringer, die Trägerdichte ist groß, aber der Antriebsstrom ist größer; Die MOSFET-Antriebsleistung ist klein, die Schaltgeschwindigkeit ist schnell, aber der Leitdruck ist gering und die Trägerdichte ist gering. IGBT kombiniert die Vorteile beider Geräte, um eine geringe Antriebsleistung und einen geringeren Sättigungsdruck zu erzielen. Ideal für die Anwendung in Wechselstromsystemen mit einer Gleichstromspannung von 600 V oder höher, wie Wechselstrommotoren, Frequenzumrichtern, Schaltstromversorgungen, Beleuchtungsschaltungen, Zugantriebe usw.

Vergleich zwischen IGBT und MOSFET

Der vollständige Name MOSFET ist Power Field Effect Transistor. Seine drei Pole sind der Quellenpol (S), der Leckpol (D) und das Tor (G).

VorteileGute thermische Stabilität und großer sicherer Arbeitsbereich.

Nachteile: Niedrige Bruchspannung und geringer Arbeitsstrom.Peking Cheng Hongtai Technologie Co., Ltd.Siemens IGBT-Treiberplatte A5E00337012

IGBT ist der vollständige Name Isolierungsgate-bipolarer Transistor und ist das Produkt einer Kombination von MOSFET und GTR (Leistungstransistor). Seine drei Pole sind die Sammelektrode (C), der Emissionspol (E) und das Tor (G).

Eigenschaften: Die Bruchspannung kann bis zu 1200V erreichen, der Sättigungsstrom der Sammelektrode hat mehr als 1500A überschritten. Die Kapazität des Umrichters des IGBT als Wechselrichters beträgt mehr als 250kVA und die Arbeitsfrequenz kann bis zu 20kHz erreichen.

Typische Anwendungen von IGBT

Elektromotor

Unterbrechungsfreie Stromversorgung

Installation von Solarpanelen

Schweißmaschinen

Stromwandler und Inverter

Induktives Ladegerät

Elektromagnetofen