Infineon IGBT Modul FZ2400R17KF4 Karter Stromversorgung Zubehör

Infineon IGBT Modul FZ2400R17KF4 Karter Stromversorgung Zubehör

Peking Jingchenghongtai Technology Co., Ltd. verkauft Infineon IGBT-Module; Steuerbare Siliziummodule; Brückenmodule; Diodenmodul; thyristor; Steuerbares Silizium, Kondensator, Stromversorgung, Lüfter, Sensoren, IPM-Module; Halbleiterleistungsmodul; Frequenzumrichter-Zubehör, Antriebsplatten, Steuerplatten, CUVC-Platten

Peter Carter Power IGBT Modul FZ2400R17KF4

Hier sind die detaillierten Informationen zur Sortierung des **Infineon IGBT Moduls FZ2400R17KF4**:

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### **1. Schlüsselparameter**

*** Spannungsklasse ***: Die Spannung des Sammelpols beträgt ** 1700 V ***, geeignet für mittlere und hohe Spannungsszenen.

***Stromkapazität**: Der kontinuierliche Elektrodenstrom (Ic) beträgt ** 2400 A** und der Spitzenstrom (ICRM) kann höhere Werte erreichen, die für Hochleistungsanwendungen geeignet sind.

- **Schalter**: mit **TRENCHSTOP ™ IGBT7**-Technologie mit niedrigem Leitdruckabfall (VCE(sat)) und optimierten Schaltverlusten.

***Wärmeleistung**: Betriebstemperatur (Tvj) im Bereich **-40°C bis 175°C** für hohe Temperaturen unter Überlastungsbedingungen.

- **Verpackung**: Modulares Design, Basis-Montage, Verpackungsmodell **AG-62MM**, mit hoher Entfernung und elektrischem Spalt, konform **UL1557** Zertifizierung.

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### **2. Anwendungsbereich**

- **Industrielle Frequenzumrichter**: Zubehör für Frequenzumrichter von Marken wie Siemens, die Motorantriebe mit hoher Leistung unterstützen.

***Neue Energiesysteme**: Für Solarwechselrichter, Energiespeichersysteme und Unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS).

***Traktion und Transport**: Vorteile der hohen Zuverlässigkeit in Traktionssystemen für Nutzfahrzeuge und Schienenverkehr.

- **Schweißen und Stromversorgung**: Für Hochstromszenarien wie Schweißmaschinen, Induktionsladegeräte und Elektromagnetofene.

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### **3. Technische Vorteile**

*** hohe Leistungsdichte ***: Reduzieren Sie den parallelen Bedarf und senken Sie die Systemkosten durch die Optimierung des Verpackungsdesigns.

*** Design mit niedrigem Verlust ***: Verwenden Sie die 4. Generation der Grille / Field Ending-Technologie, um die Schalteffektivität zu verbessern und den Wärmeverlust zu reduzieren.

** Starke Wärmeabkühlung **: Unterstützung von Kupfer-Substraten oder AlSiC-Substraten zur Verbesserung der Wärmezyklus-Kapazität, geeignet für langfristige hohe Belastungsbetriebe.

*** Antriebskompatibilität ***: Der Torwiderstand muss je nach Anwendung optimiert werden und empfiehlt sich ein 1-2-facher Bereich der Referenzdatenhandbuchwerte, um die Schaltgeschwindigkeit und die Rückstellungseigenschaften der Diode auszugleichen.

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### **4. Lieferanten und Preise**

- **Lieferant**: Beijing Jingchenghongtai Technology Co., Ltd. (bietet mehrere Marken von elektrischen Elektronikgeräten).

***Referenzpreis**: ca. **18.888 Yuan/nur** (der spezifische Handelspreis ist vertraglich vereinbart).

** Lieferinformationen **: Anfangsbestellmenge ≥ 1 Einheit, Lieferort in Beijing Changping oder Chaoyang.

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### **5. Vergleich der Modelle**

- ** mit der Seriennummer *:

*** FZ2400R17HP4_B28 ***: Ähnliche Spannung / Strom Spezifikationen, Preis ca. 9.999 Yuan, Betriebstemperatur Obergrenze von 150 ° C.

***FZ2400R17KF6C-B2**: Optimierte Fortstromdiodenentwicklung für Szenarien mit hohem Di/DT.

** Low-Strom-Version **: wie FZ1200R17KF4 (1200A / 1700V), Preis ca. 8.888 Yuan, geeignet für mittlere Leistungsbedarf.

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Weitere Informationen zum Entwurf der Antriebsschaltung oder zur technischen Dokumentation finden Sie im Infineon Datenhandbuch oder wenden Sie sich an den Support Ihres Lieferanten.

Produktparameter:

IHM B 1700 V 2400A 190 mm Single-Switch IGBT-Modul mit 4. Generation Slot Gate/Field End IGBT,

Anwendungslösungen

3300V IGBT Modell:

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT-Modul FZ1000R33HL3
IGBT-Modul FZ1000R33HE3
IGBT-Modul FZ1200R33HE3
IGBT-Modul FZ1500R33HE3
IGBT-Modul FZ1500R33HL3
IGBT-Modul FZ1600R33HE4
IGBT-Modul FZ1400R33HE4
IGBT-Modul FZ2400R33HE4
IGBT-Modul FF450R33T3E3
IGBT-Modul FZ825R33HE4D

Eigenschaften Beschreibung

Produktspezifikationen:

IGBT-Typ: Trennfeldabschnitt

Konfiguration: Halbbrücke

Spannung - Sammelpol brechen: 1700 V

Strom - Sammelektrode (Ic): 2400 A

Strom - Elektrodenabschnitt: 100 µA

Eingangskapazität (Cies) bei unterschiedlichen Vce: 122 nF @ 25 V

Eingang: Standard

NTC-Thermistor: Kein

Betriebstemperatur: -40 ° C bis 175 ° C (TJ)

Installationsart: Basismontage

Verpackung/Gehäuse: Module

Lieferanten-Gerätepaket: AG-62MM

Eigenschaften:

Hohe Leistungsdichte

VCE und SAT

Tvj op = 175°C Überlastung

Hohe Entfernung und elektrischer Abstand

Erfüllt die RoHS-Norm

4 kV AC 1 Minute Isolierung

Verpackung für CTI > 400

UL/CSA-Zertifizierung nach UL1557 E83336

TRENCHSTOP ™ IGBT7-Chips

Verbessert EconoDUAL ™ 3 Verpackung

225, 750 und 900 A，1700V Halbbrückenmodule

Dioden, 750 A IGBT mit 1200 A Dioden (nur FF750R17ME7D_B11）

Betriebstemperatur bei Überlastung bis 175° C

Druckgesteuerte Stifte

Infineon IGBT Modul FZ2400R17KF4 Karter Stromversorgung Zubehör

Vorteile:

Vorhandene Pakete mit hoher Stromkapazität, die eine Erhöhung der Wechselrichterausgangsleistung bei der gleichen Rahmengröße ermöglichen

Hohe Leistungsdichte

Vermeiden Sie IGBT-Module parallel

Senkung der Systemkosten durch Vereinfachung des Wechselrichtersystems

Flexibilität

Hohe Zuverlässigkeit

Anwendungsbereiche:

Unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS)

Energiespeichersystem

Motorsteuerung und Antrieb

Nutz-, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeuge (CAV)

Frequenzumrichter

Beijing Cheng Hongtai Technology Co., Ltd. ist ein industrieller Anbieter von Lösungen für den Vertrieb von Elektronikhalbleitern und für die Elektronikindustrie, der Kanal, Vertrieb, Vertrieb, Direktvertrieb und OEM-Modelle vereint.

Verkauf von in- und ausländischen Marken von elektrischen Halbleitergeräten, Frequenzumrichtern, Frequenzumrichterteilen, Aluminium-Elektrolytenkondensatoren und Leistungsmodulen; Hauptvertriebspartner in Deutschland sind Infineon, EUPEC,

SIEMENS Siemens, Siemens Semikron, IXYS Essex, AEG, Vishay, Danfoss Danfoss, TYCO Techo, DYNEX Danix, Vacon Viaken, Mitsubishi Mitsubishi,

Fuji, Fairchild, Toshiba, Hitachi, SanRex, Sanken POWEREX, Inda NIEC, IR USA, ABB Schweiz, POWERSEM, NELL Neil; von Yaskawa;

IGBT, IGCT, IPM, PIM, steuerbare Siliziumthyristore, GTO, GTR Darlington, Straightbridge, Diode, Feldeffektmodule von Siema, Großbritannien, CATELEC, Spanien und anderen Unternehmen; Japanische Fuji,

Schnellschmelzer HINODE, FERRAZ (Frankreich), GOULD (Großbritannien), BUSSMANN (USA); KEMET， Italien Arcotronics (AV),

Itelcond, FACON in Italien, IKEIKI ELECTRONICON in Deutschland, Thomson TPC in Frankreich, Hitachi in Japan, NIPPON chemi-con, NICHICON NICHICON;

Ruby, Epcos Epcos, Rifa Schweden, BHC Großbritannien, BHC Aerovox Elektrolyse-Kondensator und CDE-Empfindungsloser Kondensator in den USA; Swiss CONCEPT IGBT-Treiber, Optokoupler, Frequenzumrichter-Mainboard, Antriebsplatten, Netzplatten, Kommunikationsplatten, Schnittstellen

Bedienpanel

Was ist IGBT?

IGBT, das heißt Isolationsgate-bipolare Transistoren, ist ein zusammengesetztes Vollkontrollspannungsgetriebenes Leistungshalbleiter-Gerät, das aus BJT (bipolare Triode) und MOS (Isolationsgate-Feld-Effektrohr) besteht, das sowohl die Vorteile des hohen Eingangsimpedanz des MOSFET als auch die Vorteile des niedrigen Durchlaufspannungsabfalls des GTR hat. Der GTR-Sättigungsdruck ist geringer, die Trägerdichte ist groß, aber der Antriebsstrom ist größer; Die MOSFET-Antriebsleistung ist klein, die Schaltgeschwindigkeit ist schnell, aber der Leitdruck ist gering und die Trägerdichte ist gering. IGBT kombiniert die Vorteile beider Geräte, um eine geringe Antriebsleistung und einen geringeren Sättigungsdruck zu erzielen. Ideal für die Anwendung in Wechselstromsystemen mit einer Gleichstromspannung von 600 V oder höher, wie Wechselstrommotoren, Frequenzumrichtern, Schaltstromversorgungen, Beleuchtungsschaltungen, Zugantriebe usw.

Vergleich zwischen IGBT und MOSFET

Der vollständige Name MOSFET ist Power Field Effect Transistor. Seine drei Pole sind der Quellenpol (S), der Leckpol (D) und das Tor (G).

VorteileGute thermische Stabilität und großer sicherer Arbeitsbereich.

Nachteile: Niedrige Bruchspannung und geringer Arbeitsstrom.Beijing Cheng Hongtai Technologie Co., Ltd. Infineon IGBT-Modul FZ2400R17KF4

IGBT ist der vollständige Name Isolierungsgate-bipolarer Transistor und ist das Produkt einer Kombination von MOSFET und GTR (Leistungstransistor). Seine drei Pole sind die Sammelektrode (C), der Emissionspol (E) und das Tor (G).

Eigenschaften: Die Bruchspannung kann bis zu 1200V erreichen, der Sättigungsstrom der Sammelektrode hat mehr als 1500A überschritten. Die Kapazität des Umrichters des IGBT als Wechselrichters beträgt mehr als 250kVA und die Arbeitsfrequenz kann bis zu 20kHz erreichen.

Typische Anwendungen von IGBT

Elektromotor

Unterbrechungsfreie Stromversorgung

Installation von Solarpanelen

Schweißmaschinen

Stromwandler und Inverter

Induktives Ladegerät

Elektromagnetofen

IGBT der siebten Generation:

FF900R12ME7P_ B11

FF450R12ME7_ B11

FF900R12ME7W_ B11

FF900R12ME7_ B11

FF600R12ME7_ B11

FF800R12KE7

FF300R12ME7_ B11

FF750R12ME7_ B11

FF750R17ME7D_ B11

FF225R17ME7_ B11

FF1800R23IE7P

FF1800R23IE7

FF2400RB12IP7P

FF2400RB12IP7